jueves, 27 de febrero de 2014

Memoria Flip-Flop

Circuito Flip-Flop.




El pulsas P1 la corriente pasa bajo y el transistor no conduce y el diodo rojo se apaga (se crea cortocircuito y Ib=0


Si pulsas P2 la corriente (Ib) baja a cero, se crea cortocircuito y el led verde se apaga.

Sin pulsar ninguna el circuito funciona, los transistores funcionan y los leds lucen.

Pulsando los dos (P1 Y P2) el cortocircuito se crea, y los transistores no funcionan y los leds no lucen.

A este circuito le llamamos memoria ya que es capaz de recordarnos lo ultimo que ha sucedido.

Al principio uno de los diodos esta apagado ( Supongamos que es el D1). A pesar de estar apagado,por D1 pasa una pequeña corriente suficiente para activar el transistor T2, por lo que el D2 estará iluminado.

Si pulsamos P2,la corriente deja de llegar a la base de T2 (se va por el pulsador p2). En este momento el T2 deja de conducir y el led D2 se apaga. Sin embargo sigue pasando una pequeña corriente a traves del R2 Y r3 por lo que se activara t1 y se enciende D1, aunque la corriente de la base de t2( toda la corriente que baja por t1) por lo que D1 permanece encendida. 

Si pulsamos p1 la corriente deja de llegar a la base de T1 por lo que D1 se apaga y el D2 se enciende D2. Este circuito recibe el nombre de biestable Flip-Flop.

martes, 18 de febrero de 2014

Transistor BJT Y MOSFET

El Transistor Mosfet: tiene 3 patillas distintas; es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.



                                                                                 BJT


Base function transistor


El transistor de unión bipolar es undispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. 

Un transistor BJT está formado por dos Uniones PN
forman tres regiones:
  • Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
  • Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
  • Colector, de extensión mucho mayor.
Forma de un transistor Mosfet:


 El Cmos usa dos transistores mosfet uno NPN y otro PNP.
Cuando se le aplica una carga alectrica sirve como puente entre las dos zonas N para que pase corriente ysirve como interruptor.
Son pequeños y son los usados en la tecnologia mas pequeña y es especifico para digital y estan controlados por tensión y no por intensidad como el BJT.


 










BJT:






 Bjt con forma NPN y PNP y es el transistor que se utiliza sobre todo para amplificar la intensidad que pase por el transistor.





 En el dibujo de arriba seria un representacion del los electrones dentro del transistor.
















martes, 4 de febrero de 2014

25 Cuestiones sobre los transistores

25 Cuestiones de transistores

1- Un transistor está contituido por dos uniones PN polarizadas:

Una directamente y otra inversamente.

Polariza directamente: PN la otra inversamente: NP

2-La corriente de electrones que circula por la base del transistor NPN es:


Un 4% de la total.

La corriente que pasa por Ic siempre es la maxima de las corrientes. 
La corriente que pasa por Ib siempre es la mas pequeña de las corrientes


β=100/4=25

β=100/1=100.




3-El efecto del transistor consiste en: Hacer pasar una gran corriente por una union NP polarizada inversamente polarizada directamente la otra union

Porque no es NP es PN ya que esta invertida.



4- La barrera de potencial que se crea en un transistor, tiene aproximadamente un valor de: 0.7




5- En la operacion de un transistor el diodo Colector-emisor tiene:

Polarizacion Inversa. 

El diodo es la union PN y de colector a esmisor(NP) es la inversa


6- La ganancia de corriente de un transistor es:

La corriente colector base

La ganancia es la intensidad del Colector dividido de la intensidad de Base
7- Si la ganancina de corriente es B=200 y Ic=100mA, 

La corriente de base es:                                              200=100mA/Ib

                                                                                 Ib=100mA/200=0.5mA
0.5mA



8-Si la ganancia de corriente es B=100 e Ie=300mA

La corriente de base: 2.97
B=IC/IB                                      101=300mA/Ib

                                                   Ib=300mA/100   

Ib=297/100=  2.97           
B=Ie-Ib/Ib


B=Ie/Ib -1

B+1=Ie/Ib


9-En un transistor NPN se mide Vbe=0.7V

                                                   Vbe=10v

9º)Si la ganancia de corriente sera 100 e Ic es 300 mA la corriente de base sera:
 es 2,97, esto es por que Ie no puede ser iguial a Ic pero si parecido pero en las opciones que daba aperecia un 2,97 (297) era el número más parecido a 300 entonces cogemos ese número y lo dividimos a la ganancia que es 100 y entonces hay es donde sale el 2,97mA 
              297
 Ib = ------------- = 2,97 mA
             100

10º)En un transistpr NPN se mide Vbe = 0,7v y Vce 10v:
La Vcb es 9,3 Esto es por que el diodo del emisor resta 0,7v que se resta al voltaje original que es como si fuera una resistencia    

11º)La potencia disipada por un transistor es aproximada/igual a la Ic multiplicada por:

Vce: Por que si tenemos que calcular la potencia total como es V·I pues cojemos Vce·I y de hay sacamos la potencia.

12º)Si en el emisor de un transistor PNP se mide 5v, ¿que tension se mide en la base?


5,7 por que en este caso no havia que restar si no que sumar por que estamos calculando de emisor a base no de base a emisor







13º)Si en la base de un transistor PNP miden 5v ¿que tensión se mide en el mismo emisor?



5,7 por que como es un transistor PNP el diodo esta al revs y por esto se suma y no se resta.






 
14º)Vcb= 5,1 V en un transistor PNP 
Vce= 5,8 esto es por que como es PNP que como está al reves se suma.



15º)Vcb = 5,1 V en un transistor:
Vce es 4,4v por que le restas los 0,7 del diodo.

16º)La Ic saturación es: 





La formula para calcular la Ic seria:


          Vcc· Vce         20v
     -------------- = --------- = 6,06
              Rc               3300

Lo que hemos echo es usar la le de ohm y restar vce a Vcc y como Vce es 0 por que está en saturación u por ultimo lo dividimos entre 3,3kΩ



 17º)haz el problema

Lo 1º que e echo es sacar Ve que a sido restando a 2,5 el 0,7 del diodo del transistor

Después e cogido Ve y lo e dividido entre 1k8Ω de la resistencia y da 1mA.

Por ultimo seria hacer una malla que seria tal que así:

20V-10kΩ =10v · 1mA = 10v

el resultado de Vc es 10 voltios 







18º)La Ic por el led es: 






Lo 1º que hacemos seria Ve que seria cogiendo los 2v y restarle los 0,7 del diodo, lo que da (1,3mA)  lo dividimos entre 100 de la resistencia y da 13mA por lo tanto esta es la I que pasa por el led.











19º)Saca los resultados: 

Lo 1º que hacemos es sacar Ic haciendo una malla desde los 24v hasta la GND y quedaría así: 

          24-2v
I = ---------------------- = 22
           1kΩ
Lo que hemos echo a sido restar los -2 voltios del diodo al voltaje y lo hemos dividido entre la resistencia.

Después con la ganancia o β hemos sacado Ib de esta manera:
         Ic                       22               22
β = ---------- =, 150 = ------------ ; Ib = -------- = 0,14mA
         Ib                       Ib               150

Lo que hemos echo a sido cambiar Ib por β que ya teníamos, por ultimo sacamos Vbb que seria multiplicando los 4k7Ω · 0,14mA  y da 6.89 + 0,7 del diodo es igual a 7,59.

20º)Halla Rb: 


Lo primero que hacemos es sacar Ie que seria 2,5 voltios de Ve partido 0,5kΩ y quedaría 5mA., y como Ic es parecido o igual a Ic ya tenemos Ic.

Despues con la ganacia hacemos esto:

         Ic                     5mA               5 
β = ---------- =, 250 = ------------ ; Ib = -------- = 0,02mA
         Ib                       Ib               250
Como ya teniamos la ganacia e Ic lo que hacemos es dividir la I por la ganancia y nos da 0,02mA

Ahora con esto podemos sacar Rb que seria de esta manera, haciendo una malla.
             V         (15·0,7-2,5)          11,8
Rb = -------- = ------------- = ----------- = 590kΩ
             I                 0,02                0,02

21º)Halla Vc



Lo primero que hay que hacer es un divisor de tensión que seria tal que así.
         10.100
Vb = ---------------- =  2,32
        330+100
Ahora sacamos Ve que seria a 2,32 restarle el 0,7 del diodo del transistor y da 1,62 = 1,6

Ahora sacamos Ie que seria de está manera
           1,6
Ie = --------- = 0,03mA y como es igaul a Ic
          51kΩ                    ya tenemos Ic
Ahora Vr que seria = 150 · Ic = 150·0.03mA = 4,5kΩ
y por ultimo ya con Vr podemos sacar VC que seria 
10-4,5kΩ = 5,5v


22º)Halla Ve,Ie,Vc, con un transistor PNP:
Lo 1º es hacer el divisor de tensión como en el anterior problema
           10·33           330
Vb= ----------- = ------- = 3, 9 mA
          50+33            83
A continuación Ve que es sumando los 0,7 de diodo
(esta vez se suma por que es PNp y NPN y esta invertido solo por eso) y daria 4,6v

A continuación restamos esos 4,6V a los 10 iniciales  y da 5,4, ahora podemos sacar Ie que seria los 5,4v partido de 39kΩ y da 0,13mA

Ahora Vc que seria los 0,13mA · 10kΩ = 1,3 v.



23º)Halla Vc: 
Primero calculamos Ib para ello hacemos una malla

0= 10 K.Ib + 0,7 K + 10 K.100.Ib - 15 V
0= 1010 K.Ib + 0,7 - 15V
Ib = -0,7 + 15 V/1010 K = 0,011 mA

Una vez que tenemos Ib podemos sacar la Ic de esta manera
Ic = 100.Ib; Ic = 100.0,011 mA = 1,1 mA

Por ultimo sacamos Vc con la ley de ohm multiplicando el voltaje por los 1,1mA
Vc = 15 V - 1,1 mA.4,7 K = 8,34 V.








24º)Halla la Rb:



Lo 1º que hacemos es hallar Ic que seria 
         Vcc         20
Ic = ---------= ---------- = 10 mA = Ic
          Rc            2

Ahora con la Ic podemos sacar Ib gracias a la ganancia que seria 5/100 = 0,05 mA

Por ultimo restamos a 20 los 0,7 del diodo del transistor y lo dividimos entres 0,05 y nos da 386kΩ  

la resistencia la necesitamos por que la Ic está en saturación y se sua esa formula para que el punto en media de la I sea 5 por que Ic es 10 y como el punto Q es la mitad pues es 5.


25º)Halla Ie en un transistor PNP:


Primero hacemos el divisor de tensión como en anteriores circuitos.
             12·620            7400
Vbe = ----------- = ------------ = 5,7v
            620+680          1300
en el divisor de tensión siempre debes de coger los voltios iniciales y multiplicarlo por la ultima resistencia del divisor y dividirlo por la suma de las resistencias.

Ahora a 5,7 v le sumamos los 0,7v del diodo 
(se suma por que es un PNP) y lo que de se los restmos a los voltios originales.

Por ultimo hallamos Ie  que seria 
           5,6
Ie = ---------- =0,028=0,028=28ma = 27,88
          200            
El 5,6 viene de la resta anterior y pongo 27,88 por que en el enunciado ponia varios resultados y el más parecido es este.